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產品詳情
簡單介紹：
基于于團隊成員的多年研發經驗，我們發展和制造了分子束外延生長系統MBE及各種功能的源爐。每個產品都是由MBE專業人才進行組裝和測試的。分子束外延生長系統MBE是為了在6英寸襯底上生長高質量的III/V族或者II-VI族異質結構材料而研發的。樣品臺選用熱解石墨加熱或者鎢、鉭加熱絲。MBE系統是公認的非常適合于III/V族， II/VI族或其他異質結構材料生長應用研發與生產。
詳情介紹：
分子束外延生長系統的特點：
1. 由脈沖激光做濺射源，將預外延材料原子濺射出來在襯底外延沉積得到單晶薄膜，RHEED電子槍做原位監測
2. 可放多塊不同尺寸靶材, 靶臺可公自轉，靶基距連續可調3. 樣品臺襯底可自轉，可加熱
分子束外延生長系統MBE系統主要參數規格：
● ID 550 mm
● 應用于III/V族， II/VI族或其他異質結構材料
● 大晶片6英寸，或7x2英寸晶片
● 進樣室和緩沖腔室
● 線性樣品傳輸系統
● 標準法蘭孔數目(標準11個，可按要求增加3個)
● 束流源，氣體源，樣品臺
● 抽真空系統(離子吸附泵，分子泵，低溫泵等)
● 原位表征能力
● 軟件/硬件控制系統
● 額外要求可定制
